石墨烯是一種由單層碳原子組成的材料，室溫下電子在石墨烯材料中的移動速度是硅導體的200倍。此前的研究已經證實，碳納米管具有極好的導電性能，然而結構較為復雜的碳納米管難以安裝在電子芯片內部。因此，科研人員將研究轉向石墨烯的另外一種形式——扁平的石墨烯納米帶。
該研究團隊設計出一套巧妙的辦法，成功制備出寬度僅為40納米的高質量石墨烯納米帶。此前的石墨烯納米帶邊緣較為粗糙，嚴重影響了其導電性，成為阻礙石墨烯納米帶電子傳輸的一大障礙。為解決這一問題，研究人員在碳化硅晶體上切割出邊緣整齊的帶狀凹槽，并直接在這些凹槽上制備石墨烯納米帶。在測試新制備納米帶導電性的實驗中，常溫下的電子遷移率超過了100萬平方厘米/伏秒，是應用于計算機內存的硅半導體的1000倍(通常低于1700平方厘米/伏秒)。
此外，新的制備方法適用于大批量規模生產，并能夠保證石墨烯納米帶的結構質量，這使石墨烯在電子領域的廣泛應用成為可能。
